SONY ソニー　TA-F555ESL　プリメインアンプ

外形寸法 幅470x高さ170x奥行435mm
サイドウッド取外し時の幅:430mm 重量 24kg

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パワー素子にMOS FETを採用したステレオ パワーアンプ。

ファイナルトランジスタにパワーMOS FETを採用しています。

シャーシには、素材や形状などのあらゆる角度から無振動・無共振設計を追及した
アコースティカリーチューンドGシャーシ(Acoustically Tuned Gibraltar Chassis)を採用しています。

ヒートシンクには、パワートランジスタ取付部付近の厚さが20mmにも及ぶ大型アルミ押し出し材を採用しています。

電源部にはS.T.D.(Spontaneous Twin Drive)電源を採用しています。

TA-F555ESLでは、電解 コンデンサーは単に容量を増やすのではなく、より理想的な動作のコンデンサーに近づけるため、ケース内部で小型のコンデンサーを数個パラレルに接続したスタッキングタイプを採用しています。
これにより、瞬時の電流供給能力が増すと同時に、巻箔によるコイル成分も減少することで、より自然な音質を実現しています。

トランスには、コンデンサーとのバランスを考慮した大容量タイプを採用しており、二重の磁気シールドケースにコンパウンドを充填してしっかり固めたうえでGシャーシに固定しています。

ACラインからのノイズ混入を防ぐESフィルターを搭載しています。

回路構成は、 アンプ回路がフォノ・イコライザー部とパワーアンプ部の2ヶ所だけのシンプルな構成となっています。
パワーアンプ部には、出力段のスイッチング歪やクロスオーバー歪を広帯域/広ダイナミックレンジで減らすS.L.L.(スーパーレガートリニア)方式を採用しています。
これにより、実効 出力時に低歪率化が図ればかりでなく、実使用時の再生レベルでは歪率がさらに良化しています。
MCカートリッジ対応のフォノ・イコライザーアンプ部には、高域応答特性に優れ、TIM歪を追放するローノイズHi-gmFETを採用しています。

インプットセレクターも経由しないダイレクトin端子も搭載しています。