外形寸法 幅430x高さ175x奥行450mm 重量 約17.5kg

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電源部をシャーシの中央に据え、その両側に左右のパワーアンプを配置するツインモノラルコンストラクションを採用。
チャンネル間でクロストークが発生しやすいパワーアンプを、ヒートシンクごと左右独立のモノラルアンプのように分離することで、良好なチャンネルセパレーションを実現しています。

MOS FETの優れた特性を生かすため、ニューESアンプはMOSエクスクルーシブデザインを採用しています。
この回路では、バイアス回路の温度特性と電流増幅段のMOS FETの温度特性が一致しない場合に発生するアイドリング電流の変化を抑えるため、バイアス回路にMOS FETと同じ温度特性を持つオプティカル素子を追加したオプティカルバイアスサーキットと呼ばれる構成になっています。
これにより、アイドリング電流を一定に保ち、オーディオ信号のより安定した増幅を実現しています。

電源部のトランスにはトーラストロイダルトランスを採用しています。
このトランスでは、従来のトロイダルトランスでは四角形であったコア断面を楕円形にすることにより、コイルの密着性を向上させています。これにより、より効率を高めるとともに振動の発生を大幅に低減し、オーディオ信号への影響を少なくしています。

左右各チャンネル独立のアルミ製大型ヒートシンクを搭載しています。
これによりシャーシ内温度の左右バランスを保ち、良好なセパレーション特性を得ています。

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